第一款!中芯国际N+1工艺芯片流片成功

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    10月11日消息,据珠海特区报近日报道称,中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业——芯动科技发布消息称,该公司已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过,为国产半导体生态链再立新功。

    众所周知,中芯国际目前是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片制造企业,所谓“N+1”工艺是中芯国际在第一代先进工艺14nm量产之后的第二代先进工艺的代号。
    根据中芯国际联席CEO梁孟松博此前公布的信息显示,N+1工艺和现有的14nm工艺相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。从逻辑面积缩小的数据来看,与7nm工艺相近。
    梁孟松博士也表示,N+1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似,但性能要低一些(业界标准是提升35%),所以中芯国际的N+1工艺主要面向低功耗应用的。而在N+1之后,中芯国际还会有N+2,这两种工艺在功耗上表现差不多,区别在于性能及成本,N+2显然是面向高性能的,成本也会增加。
    在此前公布的2020年上半年财报当中,中芯国际就曾表示,第二代先进工艺(N+1)进展順利,已进入客户产品验证阶段。
    随后,在今年9月下旬,中芯国际再度对外回应称,第二代FinFET N+1工艺已经进入客户导入阶段,有望于2020年底小批量试产。
    结合珠海特区报的报道来看,芯动科技正是中芯国际N+1工艺的首批客户,并有望年底试产。不过,该报道并未对芯动科技的这款芯片做具体介绍。而在芯动科技的官网上,也并未找到相关信息。
    珠海特区报报道称,2019年12月,由珠海大横琴集团等共同投资的芯动微电子科技(珠海)有限公司正式落地横琴,并成立“中国先进半导体一站式IP及定制量产中心”,立足珠海推动粤港澳大湾区高智能芯片产业集群发展。
    自2019年开始,芯动科技在中芯国际“N+1”工艺尚待成熟的情况下,技术团队全程攻坚克难,投入数千万元进行优化设计,其基于中芯国际“N+1”制程的首款芯片经过持续数月、连续多轮的测试迭代,成功助力中芯国际突破“N+1”工艺良率瓶颈,从而向着实现大规模量产迈出了坚实一步。

2020年10月12日 08:45
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